Основные характеристики |
|
Производитель |
CBR |
Линейка |
|
Модель |
CD4-US08G26M19-00S |
Тип оборудования |
Оперативная память |
Частота (MHz) |
DDR4 - 2666 |
Тип модуля |
DIMM |
Объем одного модуля (ГБ) |
8 |
Количество модулей в комплекте (шт) |
1 |
Общий объем памяти (ГБ) |
8 |
Пропускная способность (МБ/с) |
21300 |
Поддержка ECC |
Нет |
Поддержка Reg |
Нет |
Низкопрофильная |
Нет |
Количество чипов на модуле |
|
Количество контактов |
288 |
Тайминги |
|
CAS Latency (CL) |
19 |
RAS to CAS Delay (tRCD) |
19 |
Row Precharge Delay (tRP) |
19 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) |
43 |
Тайминги |
19-19-19-43 |
Охлаждение |
|
Радиатор |
Нет |
Поддержка водяного охлаждения |
Нет |
Дополнительные характеристики |
|
Цвет |
Черный |
Подсветка |
Нет |
Напряжение (В) |
1.2 |
Нормальная операционная температура (Tcase) |
|
Расширенная операционная температура (Tcase) |
|
Чип |
|
Потребление энергии |
|
Габариты (мм) |
|
Высота (мм) |
|
Вес (грамм) |
|
Дополнительная информация |
Одноранговый модуль |
ширина(см) |
0.5000 |
manufacturerCountry |
Китай |
описание |
ПамятьCD4-US08G26M19-00S от компании CBR. |
длина(см) |
17.0000 |
высота(см) |
4.0000 |
gtdNumber |
10005030/220323/3071831/4 |
масса(кг) |
0.0170 |