Основные характеристики |
|
Производитель |
Samsung |
Линейка |
|
Модель |
M378A2K43EB1-CWE |
Тип оборудования |
Оперативная память |
Частота (MHz) |
DDR4 - 3200 |
Тип модуля |
DIMM |
Объем одного модуля (ГБ) |
16 |
Количество модулей в комплекте (шт) |
1 |
Общий объем памяти (ГБ) |
16 |
Пропускная способность (МБ/с) |
25600 |
Поддержка ECC |
Есть |
Поддержка Reg |
Нет |
Низкопрофильная |
Нет |
Количество чипов на модуле |
16 |
Количество контактов |
288 |
Тайминги |
|
CAS Latency (CL) |
22 |
RAS to CAS Delay (tRCD) |
|
Row Precharge Delay (tRP) |
|
Activate to Precharge Delay (tRAS) |
|
Тайминги |
22 |
Охлаждение |
|
Радиатор |
Нет |
Поддержка водяного охлаждения |
Нет |
Дополнительные характеристики |
|
Цвет |
разноцветный |
Подсветка |
Нет |
Напряжение (В) |
1.2 |
Нормальная операционная температура (Tcase) |
85 °C |
Расширенная операционная температура (Tcase) |
95 °C |
Компоновка чипов на модуле |
Двусторонняя |
Чип |
|
Потребление энергии |
6 Вт |
Габариты (мм) |
|
Высота (мм) |
|
Вес (грамм) |
|
Дополнительная информация |
|
ширина(см) |
4.5000 |
manufacturerCountry |
Китай |
описание |
Память M378A2K43EB1-CWE от Samsung |
длина(см) |
16.0000 |
высота(см) |
0.4000 |
gtdNumber |
10005030/271222/3360718/042 |
масса(кг) |
0.0600 |