Основные характеристики |
|
Производитель |
Samsung |
Линейка |
- |
Модель |
M378A1G44AB0-CWE |
Тип оборудования |
Оперативная память |
Частота (MHz) |
DDR4 - 3200 |
Тип модуля |
DIMM |
Объем одного модуля (ГБ) |
8 |
Количество модулей в комплекте (шт) |
1 |
Общий объем памяти (ГБ) |
8 |
Пропускная способность (МБ/с) |
25600 |
Поддержка ECC |
Нет |
Поддержка Reg |
Нет |
Низкопрофильная |
нет |
Количество чипов на модуле |
- |
Количество контактов |
288 |
Тайминги |
|
CAS Latency (CL) |
19 |
RAS to CAS Delay (tRCD) |
19 |
Row Precharge Delay (tRP) |
19 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) |
- |
Тайминги |
19-19-19 |
Охлаждение |
|
Радиатор |
Нет |
Поддержка водяного охлаждения |
Нет |
Дополнительные характеристики |
|
Цвет |
зеленый |
Подсветка |
нет |
Напряжение (В) |
1.2 |
Нормальная операционная температура (Tcase) |
- |
Расширенная операционная температура (Tcase) |
- |
Компоновка чипов на модуле |
|
Чип |
1Gb x 16-bit |
Потребление энергии |
- |
Габариты (мм) |
- |
Высота (мм) |
32 |
Вес (грамм) |
- |
Дополнительная информация |
- |
ширина(см) |
3.2000 |
manufacturerCountry |
Вьетнам |
описание |
Память M378A1G44AB0-CWE от Samsung |
длина(см) |
13.2000 |
высота(см) |
0.3000 |
gtdNumber |
10005030/210623/3165485/028 |
масса(кг) |
0.0170 |