| Основные характеристики |
|
| Производитель |
Samsung |
| Линейка |
|
| Модель |
M323R1GB4DB0-CWM |
| Тип оборудования |
Оперативная память |
| Частота (MHz) |
DDR4 - 4800 |
| Тип модуля |
DIMM |
| Объем одного модуля (ГБ) |
8 |
| Количество модулей в комплекте (шт) |
1 |
| Общий объем памяти (ГБ) |
8 |
| Пропускная способность (МБ/с) |
38400 |
| Поддержка ECC |
Нет |
| Поддержка Reg |
Нет |
| Низкопрофильная |
нет |
| Количество чипов на модуле |
|
| Количество контактов |
288 |
| Тайминги |
|
| CAS Latency (CL) |
40 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) |
|
| Row Precharge Delay (tRP) |
|
| Activate to Precharge Delay (tRAS) |
|
| Тайминги |
|
| Охлаждение |
|
| Радиатор |
Нет |
| Поддержка водяного охлаждения |
|
| Дополнительные характеристики |
|
| Цвет |
|
| Подсветка |
нет |
| Напряжение (В) |
1.1 |
| Нормальная операционная температура (Tcase) |
|
| Расширенная операционная температура (Tcase) |
|
| Компоновка чипов на модуле |
|
| Чип |
|
| Потребление энергии |
|
| Габариты (мм) |
|
| Высота (мм) |
|
| Вес (грамм) |
|
| Дополнительная информация |
|
| ширина(см) |
0.1000 |
| manufacturerCountry |
Вьетнам |
| описание |
Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung |
| длина(см) |
13.0000 |
| высота(см) |
3.0000 |
| gtdNumber |
10005030/021123/3290629/009 |
| масса(кг) |
0.0250 |
