Основные характеристики |
|
Производитель |
Samsung |
Линейка |
|
Модель |
M425R4GA3BB0-CQK |
Тип оборудования |
Оперативная память |
Частота (MHz) |
DDR5 - 4800 |
Тип модуля |
SO-DIMM |
Объем одного модуля (ГБ) |
32 |
Количество модулей в комплекте (шт) |
1 |
Общий объем памяти (ГБ) |
32 |
Пропускная способность (МБ/с) |
38400 |
Поддержка ECC |
Нет |
Поддержка Reg |
Нет |
Низкопрофильная |
нет |
Количество чипов на модуле |
|
Количество контактов |
262 |
Тайминги |
|
CAS Latency (CL) |
|
RAS to CAS Delay (tRCD) |
|
Row Precharge Delay (tRP) |
|
Activate to Precharge Delay (tRAS) |
|
Тайминги |
|
Охлаждение |
|
Радиатор |
Нет |
Поддержка водяного охлаждения |
|
Дополнительные характеристики |
|
Цвет |
|
Подсветка |
нет |
Напряжение (В) |
1.1 |
Нормальная операционная температура (Tcase) |
|
Расширенная операционная температура (Tcase) |
|
Компоновка чипов на модуле |
Двусторонняя |
Чип |
|
Потребление энергии |
|
Габариты (мм) |
|
Высота (мм) |
|
Вес (грамм) |
|
Дополнительная информация |
|
ширина(см) |
0.1000 |
manufacturerCountry |
Корея, республика |
описание |
Оперативная память M425R4GA3BB0-CQK от компании Samsung |
длина(см) |
6.7000 |
высота(см) |
3.0000 |
gtdNumber |
10005030/011223/3321052 |
масса(кг) |
0.0150 |