| Основные характеристики |
|
| Производитель |
Samsung |
| Линейка |
- |
| Модель |
M425R2GA3BB0-CWM |
| Тип оборудования |
Оперативная память |
| Частота (MHz) |
DDR5 - 5600 |
| Тип модуля |
SO-DIMM |
| Объем одного модуля (ГБ) |
16 |
| Количество модулей в комплекте (шт) |
1 |
| Общий объем памяти (ГБ) |
16 |
| Пропускная способность (МБ/с) |
44800 |
| Поддержка ECC |
Нет |
| Поддержка Reg |
Нет |
| Низкопрофильная |
нет |
| Количество чипов на модуле |
- |
| Количество контактов |
262 |
| Тайминги |
|
| CAS Latency (CL) |
40 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) |
- |
| Row Precharge Delay (tRP) |
- |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) |
- |
| Тайминги |
40 |
| Охлаждение |
|
| Радиатор |
Нет |
| Поддержка водяного охлаждения |
Нет |
| Дополнительные характеристики |
|
| Цвет |
зеленый |
| Подсветка |
нет |
| Напряжение (В) |
- |
| Нормальная операционная температура (Tcase) |
- |
| Расширенная операционная температура (Tcase) |
- |
| Компоновка чипов на модуле |
|
| Чип |
- |
| Потребление энергии |
- |
| Габариты (мм) |
- |
| Высота (мм) |
- |
| Вес (грамм) |
- |
| Дополнительная информация |
- |
| ширина(см) |
0.0000 |
| manufacturerCountry |
|
| описание |
Оперативная память M425R2GA3BB0-CWM от Samsung |
| длина(см) |
0.0000 |
| высота(см) |
0.0000 |
| gtdNumber |
|
