| Основные характеристики |
|
| Производитель |
Qumo |
| Линейка |
|
| Модель |
QUM3S-4G1333С9 |
| Тип оборудования |
Память |
| Частота (MHz) |
DDR3 - 1333 |
| Тип модуля |
SO-DIMM |
| Объем одного модуля (ГБ) |
4 |
| Количество модулей в комплекте (шт) |
1 |
| Общий объем памяти (ГБ) |
4 |
| Пропускная способность (МБ/с) |
10600 |
| Поддержка ECC |
Нет |
| Поддержка Reg |
Нет |
| Низкопрофильная |
Нет |
| Количество чипов на модуле |
|
| Количество контактов |
240 |
| Тайминги |
|
| CAS Latency (CL) |
9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) |
9 |
| Row Precharge Delay (tRP) |
9 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) |
|
| Тайминги |
9-9-9 |
| Охлаждение |
|
| Радиатор |
Нет |
| Поддержка водяного охлаждения |
Нет |
| Дополнительные характеристики |
|
| Цвет |
Комбинированный |
| Подсветка |
Нет |
| Напряжение (В) |
1.5 |
| Нормальная операционная температура (Tcase) |
|
| Расширенная операционная температура (Tcase) |
|
| Компоновка чипов на модуле |
Односторонняя |
| Чип |
512M x 8-bit |
| Потребление энергии |
|
| Габариты (мм) |
|
| Высота (мм) |
|
| Вес (грамм) |
|
| Дополнительная информация |
|
| ширина(см) |
5.5000 |
| manufacturerCountry |
КИТАЙ |
| описание |
Память QUM3S-4G1333C9 от Qumo |
| длина(см) |
9.5000 |
| высота(см) |
1.5000 |
| gtdNumber |
10005030/180522/3151195 |
| масса(кг) |
0.0250 |
